微泰半導體主加工設備腔內精確壓力控制的閘閥，晶圓輸送閥Transfer Valve，傳輸閥、轉換閥、輸送閥、轉移閥是安裝在半導體PVDCVD設備工藝模塊和工藝室之間的閥門系統。采用L型輸送閥L-motion防止產生微粒（Particle)，無需從設備上拆卸閥門，即可更換閘門和O形圈。大量采用缸套運動導軌Liner (motion guide)，實現高精度、高耐用性.微泰晶圓輸送閥L型輸送閥L-motion,Transfer Valve，傳輸閥、轉換閥、輸送閥、轉移閥Butterfly Valve有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績。這些真空閥可以手動、氣動或電子方式驅動，從而可以根據具體應用進行多功能控制。HV閘閥三星半導體

微泰，三(多)位閘閥、三位閘閥、多位閘閥應用于? 蒸發?濺射? Diamond growth by MW-PACVD? PECV? PVD? 涂層? 蝕刻? 擴散?CVD（化學氣相沉積）等設備上。可替代VAT閘閥。其特點是*3個位置功能-閥門打開,閥門關閉,第3位置*設備可通過連接到閥門的9 Pin D-Sub來讀取閥門狀態*手動和氣動閥門組合*應用:需要壓力控制的任何其他過程*應用:需要壓力控制的地方。三位閘閥、多位閘閥規格如下：驅動方式：氣動、法蘭尺寸：2.5英寸~ 12英寸、法蘭類型ISO, JIS, ASA, CF、連接方式：焊接波紋管、閥門密封：氟橡膠O型圈/Kalrez O型環/EPDM、閥蓋密封：Viton O型圈、響應時間：≤ 2 sec、操作壓力范圍：2.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8? ~ 12? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、開始時的壓差：≤ 30 mbar、閘門的差動壓力：1.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 14? ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、維護前可用次數：200,000次、閥體溫度≤ 200 °、機構溫度≤ 60 °C、烤爐溫度≤ 150 °C、材料：閥體(不銹鋼304)/驅動器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績HVA閘閥L型轉移閥閘閥不易產生水錘現象。原因是關閉時間長。

微泰半導體閘閥具有獨特的特點：其插板閥主滑閥采用球機構方式，并且在量產工藝設備上經過了性能驗證。該閘閥由半永久性鋼球陶瓷和板簧組成，陶瓷與金屬接觸驅動時不會產生顆粒。目前已向中國臺灣的 Micron、UMC、AKT，新加坡的 Micron、Global Foundries，馬來西亞的英菲尼亞半導體，日本的 Micron、三星半導體等眾多設備廠批量供貨，且品質得到認可，同時也完成了對半導體 Utility 設備和批量生產設備的驗證。與其他廠家閘閥的金屬與金屬接觸驅動會產生大量顆粒不同，微泰半導體閘閥采用鋼陶瓷球，在與金屬摩擦時不會損壞，且金屬與陶瓷球之間不會產生 Particle。半永久板簧（SUS 鋼板）的應用確保了閥門驅動的同步性，同時還采用了固定球導向器和鋼陶瓷。微泰半導體閘閥廣泛應用于 Evaporation（蒸發）、Sputtering（濺射）、Diamond growth by MW-PACVD（通過 MW-PACVD 生長金剛石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）、Coating（涂層）、Etch（蝕刻）、Diffusion（擴散）、CVD（化學氣相沉積）等設備上，可替代 HVIA閘閥、VAT 閘閥。此外，該閘閥由上海安宇泰環保科技有限公司提供。

微泰半導體閘閥具有諸多特點：首先，它已向中國臺灣的 Micron、UMC、AKT 等，新加坡的 Micron、Global Foundries，馬來西亞的英菲尼亞半導體，日本的 Micron、三星半導體等眾多設備廠批量供貨，且品質得到認可，同時完成了對半導體 Utility 設備和批量生產設備的驗證。其次，該閘閥采用陶瓷球機構，具有良好的抗沖擊和震動性能，保證可使用 25 萬次，且檢修方便，維護成本較低。它無 Particle 產生，采用陶瓷球不會有腐蝕和顆粒產生。此外，它還具有屏蔽保護功能，閘閥閥體與擋板之間的距離小于 1mm，能有效防止粉末侵入閥內，壽命為半永久性。其保護環設計也很獨特，Protecrion Ring 通過流速上升設計防止粉末凝固，并通過打磨（研磨）工藝防止粉末堆積。微泰半導體閘閥被廣泛應用于 Evaporation（蒸發）、Sputtering（濺射）、Diamond growth by MW-PACVD（通過 MW-PACVD 生長金剛石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）、Coating（涂層）、Etch（蝕刻）、Diffusion（擴散）、CVD（化學氣相沉積）等設備上，可替代 HVA 閘閥、VA T閘閥。該閘閥由上海安宇泰環保科技有限公司提供。非金屬材料高壓閘閥有陶瓷閥門、玻璃閥門、塑料閥門。

微泰，大閘閥、大型閘閥應用于? Evaporation（蒸發）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設備上。可替代VAT閘閥。微泰大閘閥、大型閘閥其特點是*陶瓷球機構產生的低顆粒*使用維修配件工具包易于維護*應用:用于研發和工業的隔離閥。大閘閥、大型閘閥規格如下：驅動方式：氣動、法蘭尺寸（內徑）：16? ~ 30?、 法蘭型：ISO、JIS、ASA 、饋通：Viton O-Rin、閥門密封：氟橡膠O型圈/Kalrez O型環/EPDM、閥蓋密封：氟橡膠O型圈、響應時間：可調節、工作壓力范圍：1×10-8 mbar to 1000 mbar 、維護前可用次數：10,000 ~ 100,000次、開啟時壓差 ≤ 30 mba、泄漏率 < 1×10 -9  mbar ?/sec、閥體溫度≤ 150 °、機構溫度≤ 80 °C、烤爐溫度≤ 150 °C、材料：閥體(不銹鋼304或316L)/驅動器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：6~ 8 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績，上海安宇泰環保科技有限公司。 高壓閘閥，屬于強制密封式閥門，所以在閥門關閉時，必須向閘板施加壓力，以強制密封面不泄漏。蒸發閘閥手動閥

閘閥（gate valve）是一個啟閉件閘板，閘板的運動方向與流體方向相垂直，閘閥只能作全開和全關。HV閘閥三星半導體

微泰，鋁閘閥應用于? Evaporation（蒸發）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設備上。期特點是*不論什么工藝的設備都可以使用*由半永久性陶瓷球和彈簧組成*應用:隔離泵。鋁閘閥規格如下：驅動方式：手動、法蘭尺寸：1.5英寸~ 10英寸、閥體：AL6061 (Anodizing)、機械裝置：AL6061 (Anodizing)、閥門：O型圈(VITON)、真空密封：O型圈(VITON)、響應時間≤ 3 sec、驅動器：氣缸、操作泄漏率< 1×10-10 mbar ?/sec、壓力范圍：< 1×10-10 mbar ?/sec、開始時的壓差：≤ 30 mbar、初次維護前可用次數100,000次、閥體溫度≤ 120 °執行機構溫度≤ 60 °C、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績。可替代VAT閥門。HV閘閥三星半導體