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真空鍍膜：在真空中制備膜層，包括鍍制晶態的金屬、半導體、絕緣體等單質或化合物膜。雖然化學汽相沉積也采用減壓、低壓或等離子體等真空手段，但一般真空鍍膜是指用物理的方法沉積薄膜。真空鍍膜有三種形式，即蒸發鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。真空鍍膜技術初現于20世紀30年代，四五十年代開始出現工業應用，工業化大規模生產開始于20世紀80年代，在電子、宇航、包裝、裝潢、燙金印刷等工業中取得普遍的應用。真空鍍膜是指在真空環境下，將某種金屬或金屬化合物以氣相的形式沉積到材料表面（通常是非金屬材料），屬于物理的氣相沉積工藝。因為鍍層常為金屬薄膜，故也稱真空金屬化。真空鍍膜所采用的方法主要有蒸發鍍、濺射鍍、離子鍍、束流...

真空鍍膜技術：物理的氣相沉積技術由于其工藝處理溫度可控制在500℃以下，因此可作為較終的處理工藝用于高速鋼和硬質合金類的薄膜刀具上。采用物理的氣相沉積工藝可大幅度提高刀具的切削性能，人們在競相開發高性能、高可靠性設備的同時，也對其應用領域的擴展，尤其是在高速鋼、硬質合金和陶瓷類刀具中的應用進行了更加深入的研究。化學氣相沉積技術是把含有構成薄膜元素的單質氣體或化合物供給基體，借助氣相作用或基體表面上的化學反應，在基體上制出金屬或化合物薄膜的方法，主要包括常壓化學氣相沉積、低壓化學氣相沉積和兼有CVD和PVD兩者特點的等離子化學氣相沉積等。真空鍍膜是在真空室內材料的原子從加熱源離析出來打到被鍍物體...

PECVD（等離子體增強化學氣相沉積法）工藝中由于等離子體中高速運動的電子撞擊到中性的反應氣體分子，就會使中性反應氣體分子變成碎片或處于激發的狀態容易發生反應，以在襯底在300-350℃就可以得到良好的氧化硅或者氮化硅薄膜，可以在器件當中作為鈍化絕緣層，來提高器件的可靠性。氧化硅薄膜主要用到的氣體為硅烷和笑氣，氮化硅薄膜主要用到的氣體為氨氣和硅烷。采用PECVD鍍膜對器件有一定的要求，因為工藝溫度比較高，所以器件需要耐高溫，高溫烘烤下不能變形。源或靶的不斷改進，擴大了真空鍍膜材料的選用范圍。攀枝花鈦金真空鍍膜磁控濺射由于其優點應用日趨增長,成為工業鍍膜生產中主要的技術之一,相應的濺射技術與也取...

在等離子增強化學氣相沉積(PECVD)工藝中，由等離子體輔助化學反應過程。在等離子體輔助下，200 到500°C的工藝溫度足以實現成品膜層的制備，因此該技術降低了基材的溫度負荷。等離子可在接近基片的周圍被激發(近程等離子法)。而對于半導體硅片等敏感型基材，輻射和離子轟擊可能損壞基材。另一方面，在遠程等離子法中，等離子體與基材間設有空間隔斷。隔斷不僅能夠保護基材，也允許激發混合工藝氣體的特定成分。然而，為保證化學反應在被激發的粒子真正抵達基材表面時才開始進行，需精心設計工藝過程。真空鍍膜機在集成電路制造中的應用：晶體管路中的保護層、電極管線等多是采用CVD技術。汕頭真空鍍膜工藝流程ALD允許在原...

真空鍍膜的物理過程：PVD（物理的氣相沉積技術）的基本原理可分為三個工藝步驟：（1）金屬顆粒的氣化：即鍍料的蒸發、升華或被濺射從而形成氣化源（2）鍍料粒子（（原子、分子或離子）的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經過碰撞，產生多種反應。（3）鍍料粒子在基片表面的沉積。電子束蒸發法是真空蒸發鍍膜中常用的一種方法，是在高真空條件下利用電子束進行直接加熱蒸發材料，使蒸發材料氣化并向襯底輸運，在基底上凝結形成薄膜的方法。在電子束加熱裝置中，被加熱的材料放置于水冷的坩堝當中，可避免蒸發材料與坩堝壁發生反應影響薄膜的質量，因此，電子束蒸發沉積法可以制備高純薄膜。真空鍍膜鍍的薄膜涂層均勻。湖州真空鍍膜涂料真...

真空鍍膜：等離子體鍍膜：每個弧斑存在極短時間，爆發性地蒸發離化陰極改正點處的鍍料，蒸發離化后的金屬離子，在陰極表面也會產生新的弧斑，許多弧斑不斷產生和消失，所以又稱多弧蒸發。較早設計的等離子體加速器型多弧蒸發離化源，是在陰極背后配置磁場，使蒸發后的離子獲得霍爾(Hall)加速對應效應，有利于離子增大能量轟擊量體，采用這種電弧蒸發離化源鍍膜，離化率較高，所以又稱為電弧等離子體鍍膜。由于等離子體鍍膜常產生多弧斑，所以也稱多弧蒸發離化過程。真空鍍膜有濺射鍍膜形式。石家莊真空鍍膜廠真空鍍膜的方法：真空蒸鍍法：激光束蒸發源蒸鍍技術是一種比較理想的薄膜制備方法,利用激光器發出高能量的激光束,經聚焦照射到鍍...

真空鍍膜：PVD技術工藝步驟：清洗工件：接通直流電源，氬氣進行輝光放電為氬離子，氬離子轟擊工件表面，工件表層粒子和臟物被轟濺拋出；鍍料的氣化：即通入交流電后，使鍍料蒸發氣化。鍍料離子的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經過碰撞以及高壓電場后，高速沖向工件；鍍料原子、分子或離子在基體上沉積：工件表面上的蒸發料離子超過濺失離子的數量時，則逐漸堆積形成一層牢固粘附于工件表面的鍍層。離子鍍時，蒸發料粒子電離后具有三千到五千電子伏特的動能，高速轟擊工件時，不但沉積速度快，而且能夠穿透工件表面，形成一種注入基體很深的擴散層，離子鍍的界面擴散深度可達四至五微米，也就是說比普通真空鍍膜的擴散深度要深幾十倍，甚...

利用PECVD生長的氧化硅薄膜具有以下優點：1.均勻性和重復性好，可大面積成膜，適合批量生長2.可在低溫下成膜，對基底要求比較低3.臺階覆蓋性比較好 4.薄膜成分和厚度容易控制，生長方法階段 5.應用范圍廣，設備簡單，易于產業化。評價氧化硅薄膜的質量，簡單的方法是采用BOE腐蝕氧化硅薄膜，腐蝕速率越慢，薄膜質量越致密，反之，腐蝕速率越快，薄膜質量越差。另外，沉積速率的快慢也會影響到薄膜的質量，沉積速率過快，會導致氧化硅薄膜速率過快，說明薄膜質量比較差。真空鍍膜在所有被鍍材料中，以塑料較為常見。UV真空鍍膜工藝真空鍍膜的方法：化學氣相沉積：化學氣相沉積是一種化學生長方法,簡稱CVD(Chemic...

利用PECVD生長的氧化硅薄膜具有以下優點：1.均勻性和重復性好，可大面積成膜，適合批量生長2.可在低溫下成膜，對基底要求比較低3.臺階覆蓋性比較好 4.薄膜成分和厚度容易控制，生長方法階段 5.應用范圍廣，設備簡單，易于產業化。評價氧化硅薄膜的質量，簡單的方法是采用BOE腐蝕氧化硅薄膜，腐蝕速率越慢，薄膜質量越致密，反之，腐蝕速率越快，薄膜質量越差。另外，沉積速率的快慢也會影響到薄膜的質量，沉積速率過快，會導致氧化硅薄膜速率過快，說明薄膜質量比較差。真空鍍膜有濺射鍍膜形式。南充真空鍍膜加工真空鍍膜：離子鍍膜法：目前比較常用的組合方式有：直流二極型(DCIP)。利用電阻或電子束加熱使膜材氣化；...

原子層沉積(atomiclayer deposition，ALD)技術，亦稱原子層外延(atomiclayer epitaxy，ALE）技術，是一種基于有序、表面自飽和反應的化學氣相薄膜沉積技術。原子層沉積技術起源于上世紀六七十年代，由前蘇聯科學家Aleskovskii和Koltsov報道，隨后，基于電致發光薄膜平板顯示器對高質量ZnS: Mn薄膜材料的需求，由芬蘭Suntalo博士發展并完善。然而，受限于其復雜的表面化學過程等因素，原子層沉積技術在開始并沒有取得較大發展，直到上世紀九十年代，隨著半導體工業的興起，對各種元器件尺寸，集成度等方面的要求越來越高，原子層沉積技術才迎來發展的黃金階段...

在等離子增強化學氣相沉積(PECVD)工藝中，由等離子體輔助化學反應過程。在等離子體輔助下，200 到500°C的工藝溫度足以實現成品膜層的制備，因此該技術降低了基材的溫度負荷。等離子可在接近基片的周圍被激發(近程等離子法)。而對于半導體硅片等敏感型基材，輻射和離子轟擊可能損壞基材。另一方面，在遠程等離子法中，等離子體與基材間設有空間隔斷。隔斷不僅能夠保護基材，也允許激發混合工藝氣體的特定成分。然而，為保證化學反應在被激發的粒子真正抵達基材表面時才開始進行，需精心設計工藝過程。在真空鍍膜機運轉正常情況下，開動真空鍍膜機時，必須先開水管，工作中應隨時注意水壓。肇慶真空鍍膜廠家利用PECVD生長的...

基片溫度對薄膜結構有較大影響，基片溫度高，使吸附原子的動能增大，跨越表面勢壘的幾率增多，容易結晶化，并使薄膜缺陷減少，同時薄膜內應力也會減少，基片溫度低，則易形成無定形結構膜。 材料飽和蒸汽壓隨溫度的上升而迅速增大，所以實驗時必須控制好蒸發源溫度。蒸發鍍膜常用的加熱方法時電阻大電流加熱，采用鎢，鉬，鉑等高熔點的金屬。真空鍍膜時，飛抵基片的氣化原子或分子，一部分被反射，一部分被蒸發離開，剩下的要么結合在一起，再捕獲其他原子或分子，使得自己增大；或者單個原子或分子在基片上自由擴散，逐漸生長，覆蓋整個基片，形成鍍膜。注意的是基片的清潔度和完整性將影響到鍍膜的形成速率和質量通過加熱蒸發某種物質使其沉積...

真空鍍膜：物理的氣相沉積技術是指在真空條件下采用物理方法將材料源（固體或液體）表面氣化成氣態原子或分子，或部分電離成離子，并通過低壓氣體（或等離子體）過程，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術，物理的氣相沉積是主要的表面處理技術之一。PVD(物理的氣相沉積)鍍膜技術主要分為三類：真空蒸發鍍膜、真空濺射鍍膜和真空離子鍍膜。物理的氣相沉積的主要方法有：真空蒸鍍、濺射鍍膜、電弧等離子體鍍、離子鍍膜和分子束外延等。相應的真空鍍膜設備包括真空蒸發鍍膜機、真空濺射鍍膜機和真空離子鍍膜機。真空鍍膜中離子鍍的鍍層無氣泡。石家莊UV真空鍍膜真空鍍膜：電子束蒸發法：電子束蒸發法是將蒸發材料放入水冷銅坩鍋中，...

真空鍍膜的方法：離子鍍：離子鍍Z早是由D。M。Mattox在1963年提出的。在真空條件下,利用氣體放電使氣體或蒸發物質離化,在氣體離子或蒸發物質離子轟擊作用的同時,把蒸發物質或其反應物蒸鍍在基片上。離子鍍是將輝光放電、等離子技術與真空蒸發鍍膜技術相結合的一門新型鍍膜技術。它兼具真空蒸鍍和濺射鍍膜的優點,由于荷能粒子對基體表面的轟擊,可以使膜層附著力強,繞射性好,沉積速率高,對環境無污染等好處。離子鍍的種類多種多樣,根據鍍料的氣化方式(電阻加熱、電子束加熱、等離子電子束加熱、多弧加熱、高頻感應加熱等)、氣化分子或原子的離化和激發方式(輝光放電型、電子束型、熱電子型、等離子電子束型等),以及不同...

磁控濺射的工作原理是指電子在電場E的作用下，在飛向基片過程中與氬原子發生碰撞，使其電離產生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產生的二次電子會受到電場和磁場作用，產生E（電場）×B（磁場）所指的方向漂移，簡稱E×B漂移，其運動軌跡近似于一條擺線。若為環形磁場，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運動，它們的運動路徑不僅很長，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區域內，并且在該區域中電離出大量的Ar 來轟擊靶材，從而實現了高的沉積速率。真空鍍膜機大功率脈沖磁控濺射技術...

真空鍍膜：電子束蒸發可以蒸發高熔點材料，比起一般的電阻加熱蒸發熱效率高、束流密度大、蒸發速度快，制成的薄膜純度高、質量好，厚度可以較準確地控制，可以普遍應用于制備高純薄膜和導電玻璃等各種光學材料薄膜。電子束蒸發的特點是不會或很少覆蓋在目標三維結構的兩側，通常只會沉積在目標表面。這是電子束蒸發和濺射的區別。常見于半導體科研工業領域。利用加速后的電子能量打擊材料標靶，使材料標靶蒸發升騰。較終沉積到目標上。真空鍍膜的主要功能包括賦予被鍍件表面高度金屬光澤和鏡面效果。真空鍍膜儀真空鍍膜：隨著沉積方法和技術的提升，物理的氣相沉積技術不僅可沉積金屬膜、合金膜、還可以沉積化合物、陶瓷、半導體、聚合物膜等。物...

磁控濺射的工作原理是指電子在外加電場的作用下，在飛向襯底過程中與氬原子發生碰撞，使其電離產生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向襯底，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產生的二次電子會受到電場和磁場作用，被束縛在靠近靶表面的等離子體區域內，以近似擺線形式在靶表面做圓周運動，并且在該區域中電離出大量的Ar 來轟擊靶材，從而實現了高的沉積速率。隨著碰撞次數的增加，二次電子的能量消耗殆盡，逐漸遠離靶表面，并在電場的作用下沉積在襯底上。由于該電子的能量很低，傳遞給襯底的能量很小，致使襯底溫升較低。真空鍍膜機光...

真空鍍膜技術一般分為兩大類，即物理的氣相沉積（PVD）技術和化學氣相沉積（CVD）技術。物理的氣相沉積技術是指在真空條件下，利用各種物理方法，將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子，直接沉積到基體表面上的方法。制備硬質反應膜大多以物理的氣相沉積方法制得，它利用某種物理過程，如物質的熱蒸發，或受到離子轟擊時物質表面原子的濺射等現象，實現物質原子從源物質到薄膜的可控轉移過程。物理的氣相沉積技術具有膜/基結合力好、薄膜均勻致密、薄膜厚度可控性好、應用的靶材普遍、濺射范圍寬、可沉積厚膜、可制取成分穩定的合金膜和重復性好等優點。真空鍍膜在鋼材、鎳、鈾、金剛石表面鍍鈦金屬薄膜,提高了鋼材、鈾、金剛石等材料...

真空鍍膜技術一般分為兩大類，即物理的氣相沉積技術和化學氣相沉積技術。物理的氣相沉積技術是指在真空條件下，利用各種物理方法，將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子，直接沉積到基體表面上的方法。制備硬質反應膜大多以物理的氣相沉積方法制得，它利用某種物理過程，如物質的熱蒸發，或受到離子轟擊時物質表面原子的濺射等現象，實現物質原子從源物質到薄膜的可控轉移過程。物理的氣相沉積技術具有膜/基結合力好、薄膜均勻致密、薄膜厚度可控性好、應用的靶材普遍、濺射范圍寬、可沉積厚膜、可制取成分穩定的合金膜和重復性好等優點。同時，物理的氣相沉積技術由于其工藝處理溫度可控制在500℃以下。化學氣相沉積技術是把含有構成薄膜...

真空鍍膜的方法：濺射鍍膜：在鋼材、鎳、鈾、金剛石表面鍍鈦金屬薄膜,提高了鋼材、鈾、金剛石等材料的耐腐蝕性能,使得使用領域更加普遍;而鎂作為硬組織植入材料,在近年來投入臨床使用,當在鎂表面鍍制一層鈦金屬薄膜,不僅加強了材料的耐蝕性,而且鈦生物體相容性好,比重小、毒性低、更易為人體所接受;在云母、硅片、玻璃等材料上鍍上鈦金屬薄膜,研究其對電磁波的反射、吸收、透射作用,對于高效太陽能吸收、電磁輻射、噪音屏蔽吸收和凈化等領域具有重要意義。除此之外,磁控濺射作為一種非熱式鍍膜技術,主要應用在化學氣相沉積(CVD)或金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)生長困難及不適用的鈦薄膜沉積,可以獲得大面積非常均勻的薄...

真空鍍膜技術與濕式鍍膜技術相比較，具有下列優點：薄膜和基體選材普遍，薄膜厚度可進行控制，以制備具有各種不同功能的功能性薄膜。在真空條件下制備薄膜，環境清潔，薄膜不易受到污染，因此可獲得致密性好、純度高和涂層均勻的薄膜。薄膜與基體結合強度好，薄膜牢固。干式鍍膜既不產生廢液，也無環境污染。真空鍍膜技術主要有真空蒸發鍍、真空濺射鍍、真空離子鍍、真空束流沉積、化學氣相沉積等多種方法。除化學氣相沉積法外，其他幾種方法均具有以下的共同特點：各種鍍膜技術都需要一個特定的真空環境，以保證制膜材料在加熱蒸發或濺射過程中所形成蒸氣分子的運動，不致受到大氣中大量氣體分子的碰撞、阻擋和干擾，并消除大氣中雜質的不良影響...

真空鍍膜：電阻加熱蒸發法：電阻加熱蒸發法就是采用鎢、鉬等高熔點金屬，做成適當形狀的蒸發源，其上裝入待蒸發材料，讓電流通過，對蒸發材料進行直接加熱蒸發，或者把待蒸發材料放入坩鍋中進行間接加熱蒸發。利用電阻加熱器加熱蒸發的鍍膜設備構造簡單、造價便宜、使用可靠，可用于熔點不太高的材料的蒸發鍍膜，尤其適用于對膜層質量要求不太高的大批量的生產中。目前在鍍鋁制品的生產中仍然大量使用著電阻加熱蒸發的工藝。電阻加熱方式的缺點是：加熱所能達到的較高溫度有限，加熱器的壽命也較短。近年來，為了提高加熱器的壽命，國內外已采用壽命較長的氮化硼合成的導電陶瓷材料作為加熱器。真空蒸鍍是真空鍍膜技術的一種。莆田真空鍍膜真空鍍...

磁控濺射技術可制備裝飾薄膜、硬質薄膜、耐腐蝕摩擦薄膜、超導薄膜、磁性薄膜、光學薄膜，以及各種具有特殊功能的薄膜，是一種十分有效的薄膜沉積方法，在各個工業領域應用非常廣。“濺射”是指具有一定能量的粒子（一般為Ar+離子）轟擊固體（靶材）表面，使得固體（靶材）分子或原子離開固體，從表面射出，沉積到被鍍工件上。磁控濺射是在靶材表面建立與電場正交磁場，電子受電場加速作用的同時受到磁場的束縛作用，運動軌跡成擺線，增加了電子和帶電粒子以及氣體分子相碰撞的幾率，提高了氣體的離化率，提高了沉積速率。真空鍍膜的操作規程：工作完畢應斷電、斷水。安徽ITO鍍膜真空鍍膜真空鍍膜：真空濺射法：真空濺射法是物理的氣相沉積...

真空鍍膜：真空蒸發鍍膜法：真空蒸發法的原理是：在真空條件下，用蒸發源加熱蒸發材料，使之蒸發或升華進入氣相，氣相粒子流直接射向基片上沉積或結晶形成固態薄膜；由于環境是真空，因此，無論是金屬還是非金屬，在這種情況下蒸發要比常壓下容易得多。真空蒸發鍍膜是發展較早的鍍膜技術，其特點是：設備相對簡單，沉積速率快，膜層純度高，制膜材料及被鍍件材料范圍很廣，鍍膜過程可以實現連續化，應用相當普遍。按蒸發源的不同，主要分為：電阻加熱蒸發、電子束蒸發、電弧蒸發和激光蒸發等。真空鍍膜中離子鍍清洗效果極好，能使鍍層直接貼近基體。徐州真空鍍膜真空鍍膜的物理過程：PVD（物理的氣相沉積技術）的基本原理可分為三個工藝步驟：...

真空鍍膜：真空涂層技術發展到了現在還出現了PCVD（物理化學氣相沉積）、MT-CVD（中溫化學氣相沉積）等新技術，各種涂層設備、各種涂層工藝層出不窮。目前較為成熟的PVD方法主要有多弧鍍與磁控濺射鍍兩種方式。多弧鍍設備結構簡單，容易操作。多弧鍍的不足之處是，在用傳統的DC電源做低溫涂層條件下，當涂層厚度達到0。3um時，沉積率與反射率接近，成膜變得非常困難。而且，薄膜表面開始變朦。多弧鍍另一個不足之處是，由于金屬是熔后蒸發，因此沉積顆粒較大，致密度低，耐磨性比磁控濺射法成膜差。可見，多弧鍍膜與磁控濺射法鍍膜各有優劣，為了盡可能地發揮它們各自的優越性，實現互補，將多弧技術與磁控技術合而為一的涂層...

電子束蒸發可以蒸發高熔點材料，比一般電阻加熱蒸發熱效率高、 束流密度大、蒸發速度快，制成的薄膜純度高、質量好，通過晶振控制，厚度可以較準確地控制，可以廣泛應用于制備高純薄膜和各種光學材料薄膜。電子束蒸發的金屬粒子只能考自身能量附著在襯底表面，臺階覆蓋性比較差，如果需要追求臺階覆蓋性和薄膜粘附力，建議使用磁控濺射。在蒸發溫度以上進行蒸發試，蒸發源溫度的微小變化即可引起蒸發速率發生很大變化。因此，在鍍膜過程中，想要控制蒸發速率，必須精確控制蒸發源的溫度，加熱時應盡量避免產生過大的溫度梯度。蒸發速率正比于材料的飽和蒸氣壓，溫度變化10%左右，飽和蒸氣壓就要變化一個數量級左右。真空鍍膜在所有被鍍材料中...

真空鍍膜：真空蒸鍍基本工藝鍍前處理：包括清洗鍍件和預處理。具體清洗方法有清洗劑清洗、化學溶劑清洗、超聲波清洗和離子轟擊清洗等。具體預處理有除靜電，涂底漆等。裝爐：包括真空室清理及鍍件掛具的清洗，蒸發源安裝、調試、鍍件褂卡。抽真空：一般先粗抽至6。6Pa以上，更早打開擴散泵的前級維持真空泵，加熱擴散泵。待預熱足夠后，打開高閥，用擴散泵抽至6×10-3Pa半底真空度。烘烤：將鍍件烘烤加熱到所需溫度。離子轟擊：真空度一般在10Pa～10-1Pa，離子轟擊電壓200V～1kV負高壓，離擊時間為5min～30min,預熔：調整電流使鍍料預熔，除氣1min～2min。蒸發沉積：根據要求調整蒸發電流，直到所...

磁控濺射包括很多種類各有不同工作原理和應用對象。但有一共同點：利用磁場與電場交互作用，使電子在靶表面附近成螺旋狀運行，從而增大電子撞擊氬氣產生離子的概率。所產生的離子在電場作用下撞向靶面從而濺射出靶材。靶源分平衡和非平衡式，平衡式靶源鍍膜均勻，非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結合力強。平衡靶源多用于半導體光學膜，非平衡多用于磨損裝飾膜。磁控陰極按照磁場位形分布不同，大致可分為平衡態和非平衡磁控陰極。具體應用需選擇不一樣的磁控設備類型。真空鍍膜技術有真空離子鍍膜。廣州真空鍍膜廠磁控濺射可改變工作氣體與氬氣比例從而進行反應濺射，例如使用Si靶材，通入一定比例的N2，氬氣作為工作氣體，而氮氣作為反應氣體，...

真空蒸發鍍膜是在真空室中，加熱蒸發容器待形成薄膜的原材料，使其原子或者分子從表面氣化逸出，形成蒸汽流，入射到襯底或者基片表面，凝結形成固態薄膜的方法。真空蒸發鍍膜法，設備比較簡單、容易操作、制成的薄膜純度高、質量好、膜厚容易控制，成膜速率快，效果高。在一定溫度下，在真空當中，蒸發物質的蒸氣與固體或液體平衡過程中所表現出的壓力， 稱為該物質的飽和蒸氣壓。此時蒸發物表面液相、氣相處于動態平衡，即到達液相表面的分子全部粘接而不離開，并與從液相都氣相的分子數相等。物質的飽和蒸氣壓隨溫度的上升而增大，在一定溫度下，各種物質的飽和蒸氣壓不相同，且具有恒定的數值。相反，一定的飽和蒸氣壓必定對應一定的物質的溫...

廣義的真空鍍膜還包括在金屬或非金屬材料表面真空蒸鍍聚合物等非金屬功能性薄膜。在所有被鍍材料中，以塑料較為常見，其次，為紙張鍍膜。相對于金屬、陶瓷、木材等材料，塑料具有來源充足、性能易于調控、加工方便等優勢，因此種類繁多的塑料或其他高分子材料作為工程裝飾性結構材料，大量應用于汽車、家電、日用包裝、工藝裝飾等工業領域。但塑料材料大多存在表面硬度不高、外觀不夠華麗、耐磨性低等缺陷，如在塑料表面蒸鍍一層極薄的金屬薄膜，即可賦予塑料程亮的金屬外觀，合適的金屬源還可增加材料表面耐磨性能，拓寬了塑料的裝飾性和應用范圍。真空鍍膜的操作規程：在用電子頭鍍膜時，應在鐘罩周圍上鋁板。南通UV光固化真空鍍膜磁控濺射還...