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來源: 發布時間:2025-03-13

只有在觸發脈沖Ug到來時,負載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早,可控硅模塊導通的時間就早;Ug到來得晚,可控硅模塊導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發脈沖Ug到來的時間,就可以調節負載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術中,常把交流電的半個周期定為180°,稱為電角度。

這樣,在U2的每個正半周,從零值開始到觸發脈沖到來瞬間所經歷的電角度稱為控制角α;在每個正半周內可控硅模塊導通的電角度叫導通角θ。很明顯,α和θ都是用來表示可控硅模塊在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或導通角θ,改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL,實現了可控整流。 淄博正高電氣有限公司在客戶和行業中樹立了良好的企業形象。棗莊大功率可控硅模塊批發

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可控硅模塊是有PNPN四層半導體構成的元件,有三個電極,陽極a,陰極K和控制機G所構成的。

可控硅模塊的應用領域模塊應用詳細說明介紹:

可控硅模塊應用于控溫、調光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子拉弧、逆變電源等需對電力能量大小進行調整和變換的場合,如工業、通訊、**等各類電氣控制、電源等,根據還可通過可控硅模塊的控制端口與多功能控制板連接,實現穩流、穩壓、軟啟動等功能,并可實現過流、過壓、過溫、缺相等保護功能。 西藏大功率可控硅模塊配件淄博正高電氣有限公司歡迎朋友們指導和業務洽談。

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可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件,共有三個PN結,分析原理時,可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成。當陽極A加上正向電壓時,BG1和BG2管均處于放大狀態。此時,如果從控制極G輸入一個正向觸發信號,BG2便有基流ib2流過,經BG2放大,其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基極相連,所以ib1=ic2。此時,電流ic2再經BG1放大,于是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電流又流回到BG2的基極,表成正反饋,使ib2不斷增大,如此正向饋循環的結果,兩個管子的電流劇增,可控硅使飽和導通。

 由于BG1和BG2所構成的正反饋作用,所以一旦可控硅導通后,即使控制極G的電流消失了,可控硅仍然能夠維持導通狀態,由于觸發信號只起觸發作用,沒有關斷功能,所以這種可控硅是不可關斷的。

  由于可控硅只有導通和關斷兩種工作狀態,所以它具有開關特性,這種特性需要一定的條件才能轉化

選擇可控硅模塊的主要參數可控硅模塊的主要參數應根據應用電路的具體要求而定。


  所選可控硅模塊應留有一定的功率裕量,其額定峰值電壓和額定電流(通態平均電流)均應高于受控電路的較大工作電壓和較大工作電流1.5~2倍。


  可控硅模塊的正向壓降、門極觸發電流及觸發電壓等參數應符合應用電路(指門極的控制電路)的各頂要求,不能偏高或偏低,否則會影響可控硅模塊的正常工作。

上就是可控硅模塊在不同設備中的種類選擇,希望對您有所幫助。 淄博正高電氣有限公司誠信、盡責、堅韌。

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可控硅鑒別三個極的方法很簡單,根據P-N結的原理,用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以判斷出來。

  陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個P-N結,而且方向相反,因此陽極和控制極正反向都不通)。

  控制極與陰極之間是一個P-N結,因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻斷狀態的,可以有比較大的電流通過,因此,有時測得控制極反向電阻比較小,并不能說明控制極特性不好。另外,在測量控制極正反向電阻時,萬用表應放在R*10或R*1擋,防止電壓過高控制極反向擊穿。

  若測得元件陰陽極正反向已短路,或陽極與控制極短路,或控制極與陰極反向短路,或控制極與陰極斷路,說明元件已損壞。 淄博正高電氣有限公司以***,高質量的產品,滿足廣大新老用戶的需求。西藏大功率可控硅模塊配件

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可控硅元件在電氣設備中發揮重大作用,但可控硅使用中必須要注意運行環境和相關指標,防止可控硅損壞而影響到設備的正常使用。對此,在選用可控硅的額定電壓時,應參考實際工作條件下的峰值電壓的大小,并留出一定的余量。

1、選用可控硅的額定電流時,除了考慮通過元件的平均電流外,還應注意正常工作時導通角的大小、散熱通風條件等因素。在工作中還應注意管殼溫度不超過相應電流下的允許值。

2、使用可控硅之前,應該用萬用表檢查可控硅是否良好。發現有短路或斷路現象時,應立即更換。

3、嚴禁用兆歐表(即搖表)檢查元件的絕緣情況。

4、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器,并且保證所規定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好,它們之間應涂上一薄層有機硅油或硅脂,以幫于良好的散熱。

5、按規定對主電路中的可控硅采用過壓及過流保護裝置。

6、要防止可控硅控制極的正向過載和反向擊穿。

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