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濟(jì)南MTAC220晶閘管智能模塊哪家好

來源: 發(fā)布時(shí)間:2025-04-27

晶閘管模塊常用的保護(hù)措施

① 過電流保護(hù)

過流保護(hù)一般都推薦外接快速熔斷器的方法,可將快速熔斷器串聯(lián)于模塊的交流輸入端即可,三相模塊三只,單相模塊一只。熔斷器額定電壓要大于電路工作電壓,額定電流一般取負(fù)載電流的百分之七十到八十。但快速熔斷器對(duì)于短路引起的過流保護(hù)效果很好,對(duì)于一般性的過流并不能起到很好的保護(hù)效果,因?yàn)閮杀队诳焖偃蹟嗥黝~定值的電流在幾秒內(nèi)才能熔斷。如果要取得較好的保護(hù)效果,除采用快速熔斷器外可采用帶過流保護(hù)功能的模塊或具有過流保護(hù)功能的控制板。

②過電壓保護(hù)

模塊的過壓保護(hù),推薦使用阻容吸收和壓敏電阻兩種方式。

阻容吸收回路能有效晶閘管由導(dǎo)通到截止時(shí)產(chǎn)生的過電壓,有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收并聯(lián)在模塊每一只晶閘管芯片上即可,反并聯(lián)芯片可共用一組。 正高電氣傾城服務(wù),確保產(chǎn)品質(zhì)量無后顧之憂。濟(jì)南MTAC220晶閘管智能模塊哪家好

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晶閘管智能模塊過流保護(hù):

加熱爐在實(shí)際工作中因加熱絲溫度上升,會(huì)導(dǎo)致加熱絲變形,如果加熱絲沒有采取良好的固定措施,會(huì)慢慢變形直至兩處加熱絲挨到一塊,形成短路,短路后會(huì)使電流增大,電流過大后會(huì)超過模塊的額定電流,燒毀模塊,為了限制電流過大,必須采取過流保護(hù)措施,一般再模塊的輸入端分別串聯(lián)快速熔斷器來限制比較大電流,熔斷器額定電流值一般取負(fù)載的額定電流或略大于負(fù)載額定電流,必須保證小于晶閘管智能模塊的額定電流,快速熔斷器額定電流過大將起不到保護(hù)作用。 濟(jì)南MTAC220晶閘管智能模塊哪家好正高電氣具有一支經(jīng)驗(yàn)豐富、技術(shù)力量過硬的專業(yè)技術(shù)人才管理團(tuán)隊(duì)。

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    晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯(lián)電阻和電容在實(shí)際晶閘管(可控硅)電路中,常在其兩端并聯(lián)RC串聯(lián)網(wǎng)絡(luò),該網(wǎng)絡(luò)常稱為RC阻容吸收電路。我們知道,晶閘管(可控硅)有一個(gè)重要特性參數(shù)-斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管(可控硅)在額定結(jié)溫和門極斷路條件下,使晶閘管(可控硅)從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的比較低電壓上升率。若電壓上升率過大,超過了晶閘管(可控硅)的電壓上升率的值,則會(huì)在無門極信號(hào)的情況下開通。即使此時(shí)加于晶閘管(可控硅)的正向電壓低于其陽極峰值電壓,也可能發(fā)生這種情況。因?yàn)榫чl管(可控硅)可以看作是由三個(gè)PN結(jié)組成。在晶閘管(可控硅)處于阻斷狀態(tài)下,因各層相距很近,其J2結(jié)結(jié)面相當(dāng)于一個(gè)電容C0。當(dāng)晶閘管(可控硅)陽極電壓變化時(shí),便會(huì)有充電電流流過電容C0,并通過J3結(jié),這個(gè)電流起了門極觸發(fā)電流作用。如果晶閘管(可控硅)在關(guān)斷時(shí),陽極電壓上升速度太快,則C0的充電電流越大,就有可能造成門極在沒有觸發(fā)信號(hào)的情況下,晶閘管(可控硅)誤導(dǎo)通現(xiàn)象,即常說的硬開通,這是不允許的。因此,對(duì)加到晶閘管(可控硅)上的陽極電壓上升率應(yīng)有一定的限制。為了限制電路電壓上升率過大,確保晶閘管(可控硅)安全運(yùn)行,常在晶閘管(可控硅)兩端并聯(lián)RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò)。

    使設(shè)備進(jìn)入穩(wěn)態(tài)運(yùn)行。若一次起動(dòng)不成功,即自動(dòng)調(diào)頻電路沒有抓住中頻電壓反饋信號(hào),此時(shí),它激信號(hào)便會(huì)一直掃描到比較低頻率,重復(fù)起動(dòng)電路一旦檢測到它激信號(hào)進(jìn)入到比較低頻段,便進(jìn)行一次再起動(dòng),把它激信號(hào)再推到比較高頻率,重新掃描一次,直至起動(dòng)成功,重復(fù)起動(dòng)的周期約為。由CON2-1和CON2-2輸入的中頻電壓信號(hào),經(jīng)IC1A轉(zhuǎn)換成方波信號(hào),輸入到IC6的30角,由IC6的15P、16P輸出的逆變觸發(fā)信號(hào)。經(jīng)IC7A隔離放大后,驅(qū)動(dòng)逆變觸發(fā)CMOS晶體管Q5、Q6。IC4B和IC4C構(gòu)成逆變壓控時(shí)鐘,輸入到IC6的33腳CLOK2;同時(shí)又由IC7B進(jìn)行頻壓轉(zhuǎn)換后用于驅(qū)動(dòng)頻率表。W6微調(diào)電位器用于設(shè)定壓控時(shí)鐘的比較高頻(即逆變它激信號(hào)的比較高頻率),W5微調(diào)電位器用于整定外接頻率表的讀數(shù)。另外,當(dāng)發(fā)生過電壓保護(hù)時(shí),IC6內(nèi)部的過電壓保護(hù)振蕩器起振,輸出2倍于比較高逆變頻率的觸發(fā)脈沖,使逆變橋的4只晶閘管均導(dǎo)通。IC4A為起動(dòng)失敗檢測器,其輸出控制IC6內(nèi)部重復(fù)起動(dòng)電路。過電流保護(hù)信號(hào)經(jīng)Q3倒相后,送到IC6的20P,整流觸發(fā)脈沖:驅(qū)動(dòng)“”LED批示燈亮和驅(qū)動(dòng)報(bào)警繼電器。過電流觸發(fā)器動(dòng)作后,只有通過復(fù)位信號(hào)或通過關(guān)機(jī)后再開機(jī)進(jìn)行“上電復(fù)位”,方可再次運(yùn)行。正高電氣生產(chǎn)的產(chǎn)品質(zhì)量上乘。

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    1)安裝1)按電路元件明細(xì)表配齊元件,并對(duì)元件進(jìn)行檢測。2)在面包板上根據(jù)電路圖合理安排元件的位置。3)安裝元件,確認(rèn)無誤后調(diào)試。(2)調(diào)試安裝完畢的電路經(jīng)檢查確認(rèn)無誤后,接通電源進(jìn)行調(diào)試。先調(diào)控制電路,然后再調(diào)試主電路。控制電路的調(diào)試步驟是:在控制電路接上電源后,先用示波器觀察穩(wěn)壓管兩端的電壓波形,應(yīng)為梯形波;再觀察電容器兩端的電壓波形,應(yīng)為鋸齒波;調(diào)節(jié)電位器RP,鋸齒波的頻率有均勻的變化。表12—2所示為觸發(fā)電路各點(diǎn)的波形圖。主電路的調(diào)試步驟是:用調(diào)壓器給主電路加一個(gè)低電壓(40~50V),用示波器觀察晶閘管陽、陰極之間的電壓波形。波形上有一部分是一條平線,它是晶閘管的導(dǎo)通部分;調(diào)節(jié)電位器RP,波形中平線的長度隨之變化,表示晶閘管導(dǎo)通角可調(diào),電路工作正常。否則要檢查原因,排除故障后,重新調(diào)試。待檢查無誤后,給主電路加工作電壓,燈泡EL發(fā)光。調(diào)節(jié)RP,當(dāng)增大RP時(shí),則EL變暗;當(dāng)減小RP時(shí),則EL變亮,說明電路工作正常。正高電氣為客戶服務(wù),要做到更好。濟(jì)南MTAC220晶閘管智能模塊哪家好

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    逆變橋進(jìn)入工作狀態(tài),開始起振,若不起振,表現(xiàn)為它激信號(hào)反復(fù)作掃頻動(dòng)作,可調(diào)節(jié)中頻電壓互感器的相位,即把中頻電壓互感器20V繞組的輸出線對(duì)調(diào)一下。若把中頻電壓互感器20V繞組的輸出線對(duì)調(diào)后,仍然起動(dòng)不起來。此時(shí)應(yīng)確認(rèn)一下槽路的諧振頻率是否正確,可以用電容/電感表測量一下電熱電容器的電容量及感應(yīng)器的電感量,計(jì)算出槽路的諧振頻率,當(dāng)槽路的諧振頻率處在比較高它激頻率的,起動(dòng)應(yīng)該是很容易的。再著就是檢查一下逆變晶閘管是否有損壞的。(W3W4)逆變起振后,可做整定逆變引前然的工作,把DIP開關(guān)均打在OFF位置,用示波器觀察電壓互感器100V繞組的波形,調(diào)節(jié)主控板上W4微調(diào)電位器,使逆變換相引前角在22°左右,此時(shí)中頻輸出電壓與直流電壓的比為(若換相重疊角較大,可適當(dāng)增大逆變換相引前角),此步整定的是**小逆變引前角,一般期望它盡可能的小,當(dāng)然,過小的逆變換相此前角會(huì)使逆變換相失敗,表現(xiàn)為中頻電壓升高時(shí),會(huì)出現(xiàn)重復(fù)起動(dòng)。再把DIP-2開關(guān)打在ON位置,調(diào)節(jié)主控板上W3微調(diào)電位器,整定比較大逆變換相引前角。根據(jù)不同的中頻輸出電壓的要求,比較大逆變換相引前角亦不同,如中頻裝置三相輸入電壓為380V,額定中頻輸出電壓為750V時(shí)。濟(jì)南MTAC220晶閘管智能模塊哪家好

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