開關用的 一般晶體管外，還有一些特殊用途的晶體管，如光晶體管、磁敏晶體管，場效應傳感器等。這些器件既能把一些 環境因素的信息轉換為電信號，又有一般晶體管的放大作用得到較大的輸出信號。此外，還有一些特殊器件，如單結晶體管可用于產生鋸齒波，可控硅可用于各種大電流的控制電路，電荷耦合器件可用作攝橡器件或信息存 儲器件等。在通信和雷達等***裝備中，主要靠高靈敏度、低噪聲的半導體接收器件接收微弱信號。隨著微波 通信技術的迅速發展，微波半導件低噪聲器件發展很快，工作頻率不斷提高，而噪聲系數不斷下降。微波半導體 器件由于性能優異、體積小、重量輕和功耗低等特性，在防空反導、電子戰等系統中已得到廣泛的應用 。數字表示pn結數目。1-二極管、2=三極管、3-三個pn結器件、n-n個pn結器件。虹口區現代半導體器件設備檢測

半導體器件型號由五部分（場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。五個部分意義如下：***部分：用數字表示半導體器件有效電極數目。2-二極管、3-三極管第二部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極管時：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的類型。P-普通管黃浦區貿易半導體器件設備有什么德國、法國、意大利、荷蘭、比利時等歐洲國家以及匈牙利。

半導體器件是導電性介于良導電體與絕緣體之間，利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件，可用來產生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉換。半導體器件的半導體材料是硅、鍺或砷化鎵，可用作整流器、振蕩器、發光器、放大器、測光器等器材。為了與集成電路相區別，有時也稱為分立器件。絕大部分二端器件（即晶體二極管）的基本結構是一個PN結。半導體器件（semiconductor device）通常利用不同的半導體材料、采用不同的工藝和幾何結構

***部分：用數字表示器件有效電極數目或類型。0-光電（即光敏）二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個pn結的其他器件、3-具有四個有效電極或具有三個pn結的其他器件、┄┄依此類推。第二部分：日本電子工業協會JEIA注冊標志。S-表示已在日本電子工業協會JEIA注冊登記的半導體分立器件。第三部分：用字母表示器件使用材料極性和類型。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻pn結的其他器件、┄┄依此類推用符號表示器件用途的類型。JAN-軍級、JANTX-特軍級。

Y-體效應器件、B-雪崩管、J-階躍恢復管、CS-場效應管、BT-半導體特殊器件、FH-復合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。第四部分：用數字表示序號第五部分：用漢語拼音字母表示規格號例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管日本半導體分立器件型號命名方法日本生產的半導體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到**個部分，其各部分的符號意義如下：***部分：用數字表示器件有效電極數目或類型。0-光電（即光敏）二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個pn結的其他器件、3-具有四個有效電極或具有三個pn結的其他器件、┄┄依此類推。美國電子工業協會登記順序號。多位數字-該器件在美國電子工業協會登記的順序號。虹口區現代半導體器件設備檢測

②MOS場效應管（用金屬-氧化物－半導體構成柵極,見金屬－絕緣體－半導體系統）；虹口區現代半導體器件設備檢測

半導體器件（semiconductor device）通常利用不同的半導體材料、采用不同的工藝和幾何結構，已研制出種類繁多、功能用途各異的多種晶體二極，晶體二極管的頻率覆蓋范圍可從低頻、高頻、微波、毫米波、紅外直至光波。三端器件一 般是有源器件，典型**是各種晶體管（又稱晶體三極管）。晶體管又可以分為雙極型晶體管和場效應晶體管兩 類。根據用途的不同，晶體管可分為功率晶體管微波晶體管和低噪聲晶體管。除了作為放大、振蕩、開關用的 一般晶體管外虹口區現代半導體器件設備檢測

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